器件3D模型

￥ 0.105

NTJD1155LT1 数据手册 - ON Semiconductor（安森美）

制造商:

ON Semiconductor（安森美）

分类:

MOS管

封装:

SC-88-6

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

PDF文件:

NTJD1155LT1 数据手册 (5 页)

引脚图在1 页Hot

封装尺寸在5 页

原理图在1 页

NTJD1155LT1 数据手册 (5 页)

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NTJD1155LT1 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Surface Mount

额定电压(DC)

-8.00 V

额定电流

-1.30 A

封装

SC-88-6

漏源极电阻

260 mΩ

极性

P-Channel

功耗

400 mW

漏源极电压(Vds)

8 V

栅源击穿电压

1.00 V

连续漏极电流(Ids)

-1.30 A to 1.30 A

额定功率(Max)

400 mW

工作温度(Max)

150 ℃

工作温度(Min)

-55 ℃

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NTJD1155LT1 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Obsolete

包装方式

Tape & Reel (TR)

长度

2 mm

宽度

1.25 mm

高度

0.9 mm

工作温度

-55℃ ~ 150℃ (TJ)

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NTJD1155LT1 符合标准

NTJD1155LT1 海关信息

NTJD1155LT1 概述

NTJD1155LT1 数据手册

ON Semiconductor（安森美）

5 页 / 0.1 MByte

NTJD1155LT1 其他数据使用手册

ON Semiconductor（安森美）

22 页 / 0.07 MByte

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