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NTJD5121NT1G 数据手册 - ON Semiconductor（安森美）

制造商:

ON Semiconductor（安森美）

分类:

MOS管

封装:

SOT-363

描述:

ON SEMICONDUCTOR NTJD5121NT1G 双路场效应管, MOSFET, 双N沟道, 304 mA, 60 V, 1 ohm, 10 V, 1.7 V

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

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NTJD5121NT1G 数据手册 (6 页)

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NTJD5121NT1G 数据手册 (6 页)

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NTJD5121NT1G 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Surface Mount

引脚数

6 Pin

封装

SOT-363

针脚数

6 Position

漏源极电阻

1 Ω

极性

Dual N-Channel

功耗

266 mW

阈值电压

1.7 V

漏源极电压(Vds)

60 V

连续漏极电流(Ids)

330 mA, 295 mA

上升时间

34 ns

正向电压(Max)

1.2 V

输入电容值(Ciss)

26pF @20V(Vds)

额定功率(Max)

250 mW

下降时间

32 ns

工作温度(Max)

150 ℃

工作温度(Min)

-55 ℃

耗散功率(Max)

266 mW

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NTJD5121NT1G 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Active

包装方式

Tape & Reel (TR)

长度

2.2 mm

宽度

1.35 mm

高度

1 mm

工作温度

-55℃ ~ 150℃ (TJ)

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NTJD5121NT1G 符合标准

NTJD5121NT1G 海关信息

NTJD5121NT1G 概述