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NTJS3157NT1G
器件3D模型
0.048
NTJS3157NT1G 数据手册 (6 页)
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NTJS3157NT1G 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Surface Mount
引脚数
6 Pin
额定电压(DC)
20.0 V
额定电流
3.20 A
封装
SC-88-6
通道数
1 Channel
针脚数
6 Position
漏源极电阻
0.06 Ω
极性
N-Channel
功耗
1 W
阈值电压
400 mV
输入电容
500 pF
栅电荷
15.0 nC
漏源极电压(Vds)
20 V
漏源击穿电压
20 V
栅源击穿电压
±8.00 V
连续漏极电流(Ids)
4.00 A, 4.00 mA
上升时间
12 ns
输入电容值(Ciss)
500pF @10V(Vds)
额定功率(Max)
1 W
下降时间
11 ns
工作温度(Max)
150 ℃
工作温度(Min)
-55 ℃
耗散功率(Max)
1W (Ta)

NTJS3157NT1G 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Active
包装方式
Tape & Reel (TR)
长度
2.2 mm
宽度
1.35 mm
高度
1 mm
工作温度
-55℃ ~ 150℃ (TJ)

NTJS3157NT1G 数据手册

ON Semiconductor(安森美)
6 页 / 0.1 MByte
ON Semiconductor(安森美)
8 页 / 0.18 MByte

NTJS3157NT1 数据手册

ON Semiconductor(安森美)
沟槽功率MOSFET的20 V , 4.0 A单N沟道, SC- 88 Trench Power MOSFET 20 V, 4.0 A, Single N−Channel, SC−88
ON Semiconductor(安森美)
N 通道功率 MOSFET,20V,ON Semiconductor### MOSFET 晶体管,ON Semiconductor
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