￥ 0.067

RTR020P02TL 数据手册 - ROHM Semiconductor（罗姆半导体）

制造商:

ROHM Semiconductor（罗姆半导体）

分类:

MOS管

封装:

TSMT-3

描述:

ROHM RTR020P02TL 晶体管, MOSFET, P沟道, 2 A, -20 V, 135 mohm, -4.5 V, 2 V

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

PDF文件:

RTR020P02TL 数据手册 (5 页)

封装尺寸在1 页

RTR020P02TL 数据手册 (5 页)

查看文档

或点击图片查看大图

RTR020P02TL 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Surface Mount

引脚数

3 Pin

额定电压(DC)

-20.0 V

额定电流

-2.00 A

封装

TSMT-3

针脚数

3 Position

漏源极电阻

135 mΩ

极性

P-Channel

功耗

1 W

阈值电压

2 V

漏源极电压(Vds)

20 V

连续漏极电流(Ids)

2.00 A

上升时间

13 ns

输入电容值(Ciss)

430pF @10V(Vds)

额定功率(Max)

1 W

下降时间

12 ns

工作温度(Max)

150 ℃

工作温度(Min)

-55 ℃

耗散功率(Max)

1W (Ta)

查看数据手册 >

RTR020P02TL 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Not For New Designs

包装方式

Tape & Reel (TR)

材质

Silicon

工作温度

150℃ (TJ)

查看数据手册 >

RTR020P02TL 符合标准

RTR020P02TL 概述

RTR020P02TL 数据手册

ROHM Semiconductor（罗姆半导体）

5 页 / 0.1 MByte

RTR020P02TL 其他数据使用手册

ROHM Semiconductor（罗姆半导体）

5 页 / 0.08 MByte

RTR020P02TL 其他参考文件

ROHM Semiconductor（罗姆半导体）

1 页 / 0.14 MByte

RTR020P02 数据手册

ROHM Semiconductor（罗姆半导体）

RTR020P02 P沟道MOS场效应管 -20V 2A 0.1ohm SOT-23 marking/标记 TX 低导通电阻内置栅源保护二极管

RTR020P02TL 数据手册

ROHM Semiconductor（罗姆半导体）

ROHM RTR020P02TL 晶体管, MOSFET, P沟道, 2 A, -20 V, 135 mohm, -4.5 V, 2 V

RTR020P02FRATL 数据手册

ROHM Semiconductor（罗姆半导体）

ROHM RTR020P02FRATL 晶体管, MOSFET, P沟道, -2 A, -20 V, 0.1 ohm, -4.5 V, -2 V 新

R-TR020P02TL 数据手册

ROHM Semiconductor（罗姆半导体）

器件 Datasheet 文档搜索

AiEMA 数据库涵盖高达 72,405,303 个元件的数据手册，每天更新 5,000 多个 PDF 文件

关联型号

热门型号