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NTMFS6B03NT1G
3.32
NTMFS6B03NT1G 数据手册 (6 页)
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NTMFS6B03NT1G 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Surface Mount
引脚数
5 Pin
封装
SO-FL-8
通道数
1 Channel
针脚数
5 Position
漏源极电阻
0.0038 Ω
极性
N-Channel
功耗
165 W
阈值电压
4 V
漏源极电压(Vds)
100 V
漏源击穿电压
100 V
连续漏极电流(Ids)
19A
上升时间
46 ns
输入电容值(Ciss)
4200pF @50V(Vds)
下降时间
11 ns
工作温度(Max)
150 ℃
工作温度(Min)
-55 ℃
耗散功率(Max)
3.4W (Ta), 165W (Tc)

NTMFS6B03NT1G 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Active
包装方式
Tape & Reel (TR)
长度
6.1 mm
宽度
5.1 mm
高度
1.05 mm
工作温度
-55℃ ~ 150℃ (TJ)

NTMFS6B03NT1G 数据手册

ON Semiconductor(安森美)
6 页 / 0.07 MByte
ON Semiconductor(安森美)
7 页 / 0.15 MByte

NTMFS6B03NT1 数据手册

ON Semiconductor(安森美)
ON SEMICONDUCTOR  NTMFS6B03NT1G  晶体管, MOSFET, N沟道, 132 A, 100 V, 0.0038 ohm, 10 V, 4 V
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