器件3D模型

￥ 0.389

NTMS4177PR2G 数据手册 - ON Semiconductor（安森美）

制造商:

ON Semiconductor（安森美）

分类:

MOS管

封装:

SOIC-8

描述:

ON SEMICONDUCTOR NTMS4177PR2G MOSFET Transistor, P Channel, -11.4 A, -30 V, 10 mohm, -10 V, -2.5 V 新

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NTMS4177PR2G 数据手册 (5 页)

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NTMS4177PR2G 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Surface Mount

引脚数

8 Pin

封装

SOIC-8

通道数

1 Channel

针脚数

8 Position

漏源极电阻

0.01 Ω

极性

P-Channel

功耗

2.5 W

阈值电压

2.5 V

漏源极电压(Vds)

30 V

连续漏极电流(Ids)

11.4 A, -8.90 A

上升时间

13 ns

输入电容值(Ciss)

3100pF @24V(Vds)

额定功率(Max)

840 mW

下降时间

36 ns

工作温度(Max)

150 ℃

工作温度(Min)

-55 ℃

耗散功率(Max)

840mW (Ta)

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NTMS4177PR2G 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Active

包装方式

Tape & Reel (TR)

长度

5 mm

宽度

4 mm

高度

1.5 mm

工作温度

-55℃ ~ 150℃ (TJ)

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NTMS4177PR2G 符合标准

NTMS4177PR2G 海关信息

NTMS4177PR2G 概述