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NTP6413ANG 数据手册 - ON Semiconductor（安森美）

制造商:

ON Semiconductor（安森美）

分类:

MOS管

封装:

TO-220-3

描述:

ON SEMICONDUCTOR NTP6413ANG 场效应管, MOSFET, N沟道, 100V 42A TO-220

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

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NTP6413ANG 数据手册 (7 页)

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NTP6413ANG 数据手册 (7 页)

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NTP6413ANG 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Through Hole

引脚数

3 Pin

封装

TO-220-3

漏源极电阻

0.0256 Ω

极性

N-Channel

功耗

136 W

阈值电压

4 V

漏源极电压(Vds)

100 V

连续漏极电流(Ids)

42.0 A

上升时间

84 ns

输入电容值(Ciss)

1800pF @25V(Vds)

额定功率(Max)

136 W

下降时间

71 ns

工作温度(Max)

175 ℃

工作温度(Min)

-55 ℃

耗散功率(Max)

136W (Tc)

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NTP6413ANG 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Unknown

包装方式

Rail, Tube

长度

10.28 mm

宽度

4.82 mm

高度

15.75 mm

工作温度

-55℃ ~ 175℃ (TJ)

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NTP6413ANG 符合标准

NTP6413ANG 概述

NTP6413ANG 数据手册

ON Semiconductor（安森美）

7 页 / 0.11 MByte

NTP6413ANG 其他数据使用手册

ON Semiconductor（安森美）

9 页 / 0.31 MByte

NTP6413ANG 产品修订记录

ON Semiconductor（安森美）

3 页 / 0.21 MByte

NTP6413 数据手册

NTP6413ANG 数据手册

ON Semiconductor（安森美）

ON SEMICONDUCTOR NTP6413ANG 场效应管, MOSFET, N沟道, 100V 42A TO-220

NTP6413AN 数据手册

ON Semiconductor（安森美）

N沟道功率MOSFET的100 V， 42 A， 28毫欧 N-Channel Power MOSFET 100 V, 42 A, 28 m

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