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NTR4501NT1
0.102
NTR4501NT1 数据手册 (5 页)
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NTR4501NT1 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Surface Mount
引脚数
3 Pin
额定电压(DC)
20.0 V
额定电流
3.20 A
封装
SOT-23-3
漏源极电阻
85.0 mΩ
极性
N-Channel
功耗
1.25 W
输入电容
200 pF
栅电荷
6.00 nC
漏源极电压(Vds)
20 V
漏源击穿电压
20.0 V
栅源击穿电压
±12.0 V
连续漏极电流(Ids)
3.20 A
输入电容值(Ciss)
200pF @10V(Vds)
耗散功率(Max)
1.25 W

NTR4501NT1 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Unknown
包装方式
Tape
工作温度
-55℃ ~ 150℃ (TJ)

NTR4501NT1 数据手册

ON Semiconductor(安森美)
5 页 / 0.07 MByte
ON Semiconductor(安森美)
19 页 / 0.26 MByte

NTR4501 数据手册

ON Semiconductor(安森美)
ON Semiconductor(安森美)
ON SEMICONDUCTOR  NTR4501NT1G  晶体管, MOSFET, N沟道, 3.2 A, 20 V, 80 mohm, 4.5 V, 1.2 V
ON Semiconductor(安森美)
3.2A,20V,N沟道MOSFET
ON Semiconductor(安森美)
功率MOSFET的20 V , 3.2 A单N沟道, SOT -23 Power MOSFET 20 V, 3.2 A, Single N−Channel, SOT−23
ON Semiconductor(安森美)
ON Semiconductor(安森美)
功率MOSFET的20 V , 3.2 A单N沟道, SOT -23 Power MOSFET 20 V, 3.2 A, Single N−Channel, SOT−23
ON Semiconductor(安森美)
功率MOSFET的20 V , 3.2 A单N沟道, SOT -23 Power MOSFET 20 V, 3.2 A, Single N−Channel, SOT−23
TY Semiconductor
TY Semiconductor
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