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NTR5103NT1G 数据手册 - ON Semiconductor（安森美）

制造商:

ON Semiconductor（安森美）

分类:

MOS管

封装:

SOT-23-3

描述:

60V,310mA,2.5mΩ,单N沟道功率MOSFET

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

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NTR5103NT1G 数据手册 (6 页)

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封装尺寸在5 页

原理图在1 页

NTR5103NT1G 数据手册 (6 页)

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NTR5103NT1G 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Surface Mount

引脚数

3 Pin

封装

SOT-23-3

针脚数

3 Position

漏源极电阻

1 Ω

极性

N-CH

功耗

420 mW

阈值电压

2.6 V

漏源极电压(Vds)

60 V

连续漏极电流(Ids)

0.26A

上升时间

1.2 ns

输入电容值(Ciss)

40pF @25V(Vds)

下降时间

3.6 ns

工作温度(Max)

150 ℃

工作温度(Min)

-55 ℃

耗散功率(Max)

300mW (Ta)

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NTR5103NT1G 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Active

包装方式

Tape & Reel (TR)

工作温度

-55℃ ~ 150℃ (TJ)

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NTR5103NT1G 符合标准

NTR5103NT1G 概述

NTR5103NT1G 数据手册

ON Semiconductor（安森美）

6 页 / 0.12 MByte

NTR5103NT1G 其他数据使用手册

ON Semiconductor（安森美）

5 页 / 0.2 MByte

NTR5103NT1G 产品描述及参数

ON Semiconductor（安森美）

5 页 / 0.12 MByte

NTR5103NT1G 产品修订记录

ON Semiconductor（安森美）

5 页 / 0.31 MByte

NTR5103NT1 数据手册

NTR5103NT1G 数据手册

ON Semiconductor（安森美）

60V,310mA,2.5mΩ,单N沟道功率MOSFET

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