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STP6NK60ZFP 数据手册 - ST Microelectronics（意法半导体）

制造商:

ST Microelectronics（意法半导体）

分类:

MOS管

封装:

TO-220-3

描述:

STMICROELECTRONICS STP6NK60ZFP 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 6 A, 600 V, 1.2 ohm, 10 V, 3.75 V

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

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STP6NK60ZFP 数据手册 (17 页)

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STP6NK60ZFP 数据手册 (17 页)

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STP6NK60ZFP 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Through Hole

引脚数

3 Pin

封装

TO-220-3

通道数

1 Channel

针脚数

3 Position

漏源极电阻

1.2 Ω

极性

N-Channel

功耗

30 W

阈值电压

3.75 V

漏源极电压(Vds)

600 V

漏源击穿电压

600 V

连续漏极电流(Ids)

6.00 A

上升时间

14 ns

输入电容值(Ciss)

905pF @25V(Vds)

额定功率(Max)

30 W

下降时间

19 ns

工作温度(Max)

150 ℃

工作温度(Min)

-55 ℃

耗散功率(Max)

30000 mW

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STP6NK60ZFP 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Active

包装方式

Tube

长度

10.4 mm

宽度

4.6 mm

高度

9.3 mm

工作温度

-55℃ ~ 150℃ (TJ)

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STP6NK60ZFP 符合标准

STP6NK60ZFP 海关信息

STP6NK60ZFP 概述

STP6NK60ZFP 数据手册

ST Microelectronics（意法半导体）

17 页 / 0.43 MByte

STP6NK60ZFP 其他数据使用手册

ST Microelectronics（意法半导体）

20 页 / 2.6 MByte

STP6NK60ZFP 产品修订记录

ST Microelectronics（意法半导体）

34 页 / 0.79 MByte

STP6NK60ZFP 其他参考文件

ST Microelectronics（意法半导体）

1 页 / 0.13 MByte

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