器件3D模型

￥ 0.092

NTS2101PT1 数据手册 - ON Semiconductor（安森美）

制造商:

ON Semiconductor（安森美）

分类:

MOS管

封装:

SC-70-3

描述:

功率MOSFET -8.0 V， -1.4 A，单P沟道， SC- 70 Power MOSFET −8.0 V, −1.4 A, Single P−Channel, SC−70

Pictures:

3D模型

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NTS2101PT1 数据手册 (5 页)

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NTS2101PT1 数据手册 (5 页)

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NTS2101PT1 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Surface Mount

额定电压(DC)

-8.00 V

额定电流

-1.40 A

封装

SC-70-3

漏源极电阻

117 mΩ

极性

P-Channel

功耗

290mW (Ta)

输入电容

640 pF

栅电荷

6.40 nC

漏源极电压(Vds)

8 V

栅源击穿电压

±8.00 V

连续漏极电流(Ids)

1.40 A

输入电容值(Ciss)

640pF @8V(Vds)

额定功率(Max)

290 mW

耗散功率(Max)

290mW (Ta)

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NTS2101PT1 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Obsolete

包装方式

Tape

工作温度

-55℃ ~ 150℃ (TJ)

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NTS2101PT1 符合标准

NTS2101PT1 概述

NTS2101PT1 数据手册

ON Semiconductor（安森美）

5 页 / 0.05 MByte

NTS2101PT1 其他数据使用手册

ON Semiconductor（安森美）

26 页 / 0.08 MByte

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ON SEMICONDUCTOR NTS2101PT1G 晶体管, MOSFET, P沟道, 1.4 A, -8 V, 100 mohm, -4.5 V, -700 mV

NTS2101PT1 数据手册

ON Semiconductor（安森美）

功率MOSFET -8.0 V， -1.4 A，单P沟道， SC- 70 Power MOSFET −8.0 V, −1.4 A, Single P−Channel, SC−70

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功率MOSFET -8.0 V， -1.4 A，单P沟道， SC- 70 Power MOSFET −8.0 V, −1.4 A, Single P−Channel, SC−70

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