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NTS4101PT1
器件3D模型
0.103
NTS4101PT1 数据手册 (5 页)
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NTS4101PT1 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Surface Mount
额定电压(DC)
-20.0 V
额定电流
-1.37 A
封装
SC-70-3
漏源极电阻
104 mΩ
极性
P-Channel
功耗
329 mW
输入电容
840 pF
栅电荷
9.00 nC
漏源极电压(Vds)
20 V
栅源击穿电压
±8.00 V
连续漏极电流(Ids)
1.37 A
上升时间
14.9 ns
输入电容值(Ciss)
840pF @20V(Vds)
额定功率(Max)
329 mW
下降时间
14.9 ns
工作温度(Max)
150 ℃
工作温度(Min)
-55 ℃
耗散功率(Max)
329mW (Ta)

NTS4101PT1 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Obsolete
包装方式
Tape
长度
2.1 mm
宽度
1.24 mm
高度
0.85 mm
工作温度
-55℃ ~ 150℃ (TJ)

NTS4101PT1 数据手册

ON Semiconductor(安森美)
5 页 / 0.09 MByte

NTS4101 数据手册

ON Semiconductor(安森美)
P 通道功率 MOSFET,20V,ON Semiconductor### MOSFET 晶体管,ON Semiconductor
ON Semiconductor(安森美)
功率MOSFET -20 V, -1.37 A单P沟道, SC- 70 Power MOSFET -20 V, -1.37 A, Single P-Channel, SC-70
ON Semiconductor(安森美)
功率MOSFET -20 V, -1.37 A单P沟道, SC- 70 Power MOSFET -20 V, -1.37 A, Single P-Channel, SC-70
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