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NTZD5110NT1G 数据手册 - ON Semiconductor（安森美）

制造商:

ON Semiconductor（安森美）

分类:

MOS管

封装:

SOT-563-6

描述:

60 V,0.31A功率MOSFET,带ESD保护

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

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NTZD5110NT1G 数据手册 (5 页)

封装尺寸在5 页

NTZD5110NT1G 数据手册 (5 页)

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NTZD5110NT1G 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Surface Mount

引脚数

6 Pin

封装

SOT-563-6

针脚数

6 Position

漏源极电阻

1.19 Ω

极性

Dual N-Channel

功耗

250 mW

阈值电压

2.5 V

漏源极电压(Vds)

60 V

连续漏极电流(Ids)

310 mA, 294 mA

上升时间

7.3 ns

输入电容值(Ciss)

24.5pF @20V(Vds)

额定功率(Max)

250 mW

下降时间

7.3 ns

工作温度(Max)

150 ℃

工作温度(Min)

-55 ℃

耗散功率(Max)

280 mW

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NTZD5110NT1G 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Active

包装方式

Tape & Reel (TR)

长度

1.7 mm

宽度

1.3 mm

高度

0.6 mm

工作温度

-55℃ ~ 150℃ (TJ)

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NTZD5110NT1G 符合标准

NTZD5110NT1G 海关信息

NTZD5110NT1G 概述

NTZD5110NT1G 数据手册

ON Semiconductor（安森美）

5 页 / 0.06 MByte

NTZD5110NT1G 其他数据使用手册

ON Semiconductor（安森美）

42 页 / 2.02 MByte

NTZD5110NT1G 开发手册

ON Semiconductor（安森美）

12 页 / 0.16 MByte

NTZD5110NT1G 产品修订记录

ON Semiconductor（安森美）

2 页 / 0.29 MByte

NTZD5110NT1 数据手册

ON Semiconductor（安森美）

60伏310毫安，双N沟道具有ESD保护， SOT- 563 60 V, 310 mA, Dual N−Channel with ESD Protection, SOT−563

NTZD5110NT1G 数据手册

ON Semiconductor（安森美）

60 V,0.31A功率MOSFET,带ESD保护

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