器件3D模型

￥ 0.621

NUP4201DR2G 数据手册 - ON Semiconductor（安森美）

制造商:

ON Semiconductor（安森美）

分类:

TVS二极管

封装:

SOIC-8

描述:

ESD 保护### 瞬态电压抑制器，On Semiconductor

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

PDF文件:

NUP4201DR2G 数据手册 (8 页)

引脚图在1 页Hot

封装尺寸在8 页

典型应用电路图在1 页 6 页

原理图在1 页

NUP4201DR2G 数据手册 (8 页)

查看文档

或点击图片查看大图

NUP4201DR2G 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Surface Mount

引脚数

8 Pin

电容

10 pF

封装

SOIC-8

击穿电压

6 V

电路数

4 Circuit

通道数

4 Channel

针脚数

8 Position

功耗

500 W

钳位电压

25 V

测试电流

1 mA

最大反向击穿电压

6 V

脉冲峰值功率

500 W

最小反向击穿电压

6 V

击穿电压

6 V

工作温度(Max)

150 ℃

工作温度(Min)

-55 ℃

查看数据手册 >

NUP4201DR2G 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Active

包装方式

Tape & Reel (TR)

长度

5 mm

宽度

4 mm

高度

1.5 mm

工作温度

-55℃ ~ 150℃ (TJ)

查看数据手册 >

NUP4201DR2G 符合标准

NUP4201DR2G 海关信息

NUP4201DR2G 概述

NUP4201DR2G 数据手册

ON Semiconductor（安森美）

8 页 / 0.1 MByte

NUP4201DR2G 其他数据使用手册

ON Semiconductor（安森美）

10 页 / 0.18 MByte

NUP4201DR2G 产品设计图

ON Semiconductor（安森美）

3 页 / 0.05 MByte

NUP4201DR2G 开发手册

ON Semiconductor（安森美）

12 页 / 0.14 MByte

NUP4201DR2 数据手册

ON Semiconductor（安森美）

低电容表面贴装TVS用于高速数据接口 Low Capacitance Surface Mount TVS for High-Speed Data Interfaces

NUP4201DR2G 数据手册

ON Semiconductor（安森美）

ESD 保护### 瞬态电压抑制器，On Semiconductor

器件 Datasheet 文档搜索

AiEMA 数据库涵盖高达 72,405,303 个元件的数据手册，每天更新 5,000 多个 PDF 文件

关联型号

热门型号