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NVF2955T1G 数据手册 - ON Semiconductor（安森美）

制造商:

ON Semiconductor（安森美）

分类:

MOS管

封装:

TO-261-4

描述:

P 通道功率 MOSFET，30V 至 500V，ON Semiconductor### MOSFET 晶体管，ON Semiconductor

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

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NVF2955T1G 数据手册 (6 页)

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NVF2955T1G 数据手册 (6 页)

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NVF2955T1G 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Surface Mount

引脚数

4 Pin

封装

TO-261-4

针脚数

4 Position

漏源极电阻

0.145 Ω

极性

P-Channel

功耗

2.3 W

阈值电压

4 V

漏源极电压(Vds)

60 V

上升时间

7.6 ns

输入电容值(Ciss)

492pF @25V(Vds)

额定功率(Max)

2.3 W

下降时间

38 ns

工作温度(Max)

175 ℃

工作温度(Min)

-55 ℃

耗散功率(Max)

1W (Ta)

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NVF2955T1G 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Active

包装方式

Tape & Reel (TR)

长度

6.7 mm

宽度

3.7 mm

高度

1.65 mm

工作温度

-55℃ ~ 175℃ (TJ)

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NVF2955T1G 符合标准

NVF2955T1G 概述

NVF2955T1G 数据手册

ON Semiconductor（安森美）

6 页 / 0.11 MByte

NVF2955T1G 其他数据使用手册

ON Semiconductor（安森美）

9 页 / 0.19 MByte

NVF2955T1G 产品修订记录

ON Semiconductor（安森美）

9 页 / 0.53 MByte

NVF2955T1 数据手册

NVF2955T1G 数据手册

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