Web Analytics
Datasheet 搜索 > TVS二极管 > ON Semiconductor(安森美) > P6SMB11CAT3G Datasheet 文档
P6SMB11CAT3G
0.111
P6SMB11CAT3G 数据手册 (6 页)
查看文档
或点击图片查看大图

P6SMB11CAT3G 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Surface Mount
引脚数
2 Pin
额定电压(DC)
11.0 V
封装
SMB
额定功率
600 W
击穿电压
10.5 V
电路数
1 Circuit
钳位电压
15.6 V
最大反向电压(Vrrm)
9.4V
测试电流
1 mA
最大反向击穿电压
11.6 V
脉冲峰值功率
600 W
最小反向击穿电压
10.5 V
击穿电压
10.5 V
工作温度(Max)
150 ℃
工作温度(Min)
-65 ℃
工作结温
-65℃ ~ 150℃

P6SMB11CAT3G 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Active
包装方式
Tape & Reel (TR)
长度
4.57 mm
宽度
3.81 mm
高度
2.41 mm
工作温度
-65℃ ~ 150℃ (TJ)

P6SMB11CAT3G 数据手册

ON Semiconductor(安森美)
6 页 / 0.06 MByte
ON Semiconductor(安森美)
6 页 / 0.09 MByte
ON Semiconductor(安森美)
6 页 / 0.15 MByte
ON Semiconductor(安森美)
3 页 / 0.13 MByte

P6SMB11CAT3 数据手册

ON Semiconductor(安森美)
600瓦峰值功率齐纳瞬态电压抑制器 600 Watt Peak Power Zener Transient Voltage Suppressors
Motorola(摩托罗拉)
Littelfuse(力特)
Won-Top Electronics
ON Semiconductor(安森美)
600W 齐纳 SMT 瞬态电压抑制器,P6SMB 系列(双向)ON Semiconductor SMB 系列齐纳瞬态电压抑制器设计用于保护电压敏感组件抵抗破坏性高能量瞬态电压尖脉冲。 它们具有高浪涌容量、极佳的钳位能力、低齐纳阻抗和快速响应时间。 ### 瞬态电压抑制器,On Semiconductor
Littelfuse(力特)
600W 齐纳 SMT 瞬态电压抑制器,P6SMB 系列(双向)ON Semiconductor SMB 系列齐纳瞬态电压抑制器设计用于保护电压敏感组件抵抗破坏性高能量瞬态电压尖脉冲。 它们具有高浪涌容量、极佳的钳位能力、低齐纳阻抗和快速响应时间。### 瞬态电压抑制器,On Semiconductor
器件 Datasheet 文档搜索
器件加载中...
AiEMA 数据库涵盖高达 72,405,303 个元件的数据手册,每天更新 5,000 多个 PDF 文件

关联型号

BOM选型工具
智能匹配型号
推荐替代方案
预警生产风险
计算采购成本
上传BOM文件
文件格式:*.xlsx,*.xls,*csv
Gerber文件查看器
15秒快速建模
预览PCB成品
支持40种板层
预检生产问题
上传Gerber文件
支持标准RS-274X文件,接受zip、rar、7z