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PBSS4240V,115
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PBSS4240V,115数据手册
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2003 Jan 30 7
Philips Semiconductors Product specification
40 V low V
CEsat
NPN transistor
PBSS4240V
PACKAGE OUTLINE
UNIT b
p
cD
E
e
1
H
E
L
p
w
REFERENCES
OUTLINE
VERSION
EUROPEAN
PROJECTION
ISSUE DATE
01-01-04
01-08-27
IEC JEDEC EIAJ
mm
0.27
0.17
0.18
0.08
1.7
1.5
1.3
1.1
0.5
e
1.0
1.7
1.5
0.1
y
0.1
DIMENSIONS (mm are the original dimensions)
0.3
0.1
SOT666
b
p
pin 1 index
D
e
1
e
A
L
p
detail X
H
E
E
A
S
0 1 2 mm
scale
A
0.6
0.5
c
X
123
456
Plastic surface mounted package; 6 leads SOT666
YS
wM
A

PBSS4240V,115 数据手册

Nexperia(安世)
12 页 / 0.07 MByte
Nexperia(安世)
206 页 / 0.21 MByte

PBSS4240 数据手册

Nexperia(安世)
低饱和电压 NPN 晶体管,Nexperia一系列 NXP BISS(小信号的重大突破)低饱和电压 NPN 双极接线晶体管。 这些设备具有极低集电极-发射极饱和电压和高集电极电流容量,采用紧凑的空间节省型封装。 这些晶体管减少损失,可在用于切换和数字应用时减少热量的产生并整体提高效率。### 双极晶体管,Nexperia
NXP(恩智浦)
NXP  PBSS4240T,215  单晶体管 双极, NPN, 40 V, 230 MHz, 300 mW, 2 A, 150 hFE
NXP(恩智浦)
NXP  PBSS4240T  单晶体管 双极, NPN, 40 V, 230 MHz, 300 mW, 2 A, 470 hFE
Nexperia(安世)
双极晶体管阵列, 通用, NPN, PNP, 40 V, 310 mW, 1.35 A, 300 hFE, SOT-457
NXP(恩智浦)
NXP  PBSS4240DPN,115  双极晶体管阵列, NPN, PNP, 40 V, 310 mW, 1.35 A, 300 hFE, SOT-457
NXP(恩智浦)
Nexperia(安世)
Nexperia PBSS4240Y,115 , NPN 晶体管, 2 A, Vce=40 V, HFE:150, 230 MHz, 6引脚 UMT封装
Nexperia(安世)
NXP PBSS4240V,115 , NPN 晶体管, 2 A, Vce=40 V, HFE:75, 150 MHz, 6引脚 SSMini封装
Nexperia(安世)
NXP(恩智浦)
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