PBSS4350D,115

￥ 0.851

PBSS4350D,115 数据手册 - Nexperia（安世）

制造商:

Nexperia（安世）

分类:

双极性晶体管

封装:

TSOP-457

描述:

Nexperia PBSS4350D,115 , NPN 晶体管, 3 A, Vce=50 V, HFE:100, 100 MHz, 6引脚 TSOP封装

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

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封装尺寸在P8

标记信息在P3

技术参数、封装参数在P9

应用领域在P3P9

1

2

4

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PBSS4350D,115数据手册

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2001 Jul 13 2

NXP Semiconductors Product data sheet

50 V low V

CEsat

NPN transistor

PBSS4350D

FEATURES

• Low collector-emitter saturation voltage

• High current capability

• Improved device reliability due to reduced heat

generation

• Replacement for SOT89/SOT223 standard packaged

transistors due to enhanced performance.

APPLICATIONS

• Supply line switching circuits

• Battery management applications

• DC/DC convertor applications

• Strobe flash units

• Heavy duty battery powered equipment (motor and lamp

drivers).

DESCRIPTION

NPN low V

CEsat

transistor in a SOT457 (SC-74) plastic

package. PNP complement: PBSS5350D.

MARKING

TYPE NUMBER MARKING CODE

PBSS4350D 43

PINNING

PIN DESCRIPTION

1 collector

2 collector

3 base

4 emitter

5 collector

6 collector

handbook, halfpage

MAM436Top view

1, 2, 5, 6

4

3

132

4

56

Fig.1 Simplified outline (SOT457; SC-74) and

symbol.

QUICK REFERENCE DATA

SYMBOL PARAMETER MAX. UNIT

V

CEO

collector-emitter voltage 50 V

I

CM

peak collector current 5 A

R

CEsat

equivalent on-resistance <145 mΩ

1
2
3
4
5
•••
10

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