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PBSS5540Z,115
0.27
PBSS5540Z,115 数据手册 (9 页)
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PBSS5540Z,115 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Surface Mount
频率
120 MHz
引脚数
4 Pin
封装
TO-261-4
针脚数
4 Position
极性
PNP
功耗
1.35 W
击穿电压(集电极-发射极)
40 V
集电极最大允许电流
5A
最小电流放大倍数
150 @2A, 2V
最大电流放大倍数
250 @500mA, 2V
额定功率(Max)
2 W
直流电流增益(hFE)
350
工作温度(Max)
150 ℃
工作温度(Min)
-65 ℃
耗散功率(Max)
2000 mW

PBSS5540Z,115 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Active
包装方式
Tape & Reel (TR)
长度
6.7 mm
宽度
3.7 mm
高度
1.7 mm
工作温度
150℃ (TJ)

PBSS5540Z,115 数据手册

NXP(恩智浦)
9 页 / 0.14 MByte
NXP(恩智浦)
206 页 / 0.21 MByte
NXP(恩智浦)
72 页 / 3.63 MByte
NXP(恩智浦)
1 页 / 0.13 MByte

PBSS5540 数据手册

Nexperia(安世)
低饱和电压 PNP 晶体管,Nexperia一系列 NXP BISS(小信号的重大突破)低饱和电压 PNP 双极接线晶体管。 这些设备具有极低集电极-发射极饱和电压和高集电极电流容量,采用紧凑的空间节省型封装。 这些晶体管减少损失,可在用于切换和数字应用时减少热量的产生并整体提高效率。### 双极晶体管,Nexperia
Nexperia(安世)
NXP PBSS5540X,135 , PNP 晶体管, 4 A, Vce=40 V, HFE:50, 60 MHz, 4引脚 UPAK封装
NXP(恩智浦)
NXP  PBSS5540Z,115  单晶体管 双极, PNP, -40 V, 120 MHz, 1.35 W, -5 A, 350 hFE
NXP(恩智浦)
PNP 晶体管,NXP一系列 NXP BISS(小信号的重大突破)低饱和电压 PNP 双极接线晶体管。 这些设备具有极低集电极-发射极饱和电压和高集电极电流容量,采用紧凑的空间节省型封装。 这些晶体管减少损失,可在用于切换和数字应用时减少热量的产生并整体提高效率。### 双极性晶体管,NXP Semiconductors
NXP(恩智浦)
NXP  PBSS5540Z  单晶体管 双极, PNP, 40 V, 120 MHz, 1.35 W, 5 A, 350 hFE
NXP(恩智浦)
NXP  PBSS5540X,135  单晶体管 双极, PNP, -40 V, 60 MHz, 550 mW, 5 A, 250 hFE
Nexperia(安世)
Philips(飞利浦)
Nexperia(安世)
低饱和电压 PNP 晶体管,Nexperia一系列 NXP BISS(小信号的重大突破)低饱和电压 PNP 双极接线晶体管。 这些设备具有极低集电极-发射极饱和电压和高集电极电流容量,采用紧凑的空间节省型封装。 这些晶体管减少损失,可在用于切换和数字应用时减少热量的产生并整体提高效率。### 双极晶体管,Nexperia
Nexperia(安世)
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