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PBSS8110T,215
0.064
PBSS8110T,215 数据手册 (12 页)
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PBSS8110T,215 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Surface Mount
频率
100 MHz
引脚数
3 Pin
封装
SOT-23-3
额定功率
0.3 W
针脚数
3 Position
功耗
0.48 W
击穿电压(集电极-发射极)
100 V
最小电流放大倍数
150 @250mA, 10V
额定功率(Max)
480 mW
直流电流增益(hFE)
150
工作温度(Max)
150 ℃
工作温度(Min)
-65 ℃
耗散功率(Max)
480 mW

PBSS8110T,215 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Active
包装方式
Tape & Reel (TR)
长度
3 mm
宽度
1.4 mm
高度
1 mm
工作温度
150℃ (TJ)

PBSS8110T,215 数据手册

Nexperia(安世)
12 页 / 0.13 MByte
Nexperia(安世)
206 页 / 0.21 MByte
Nexperia(安世)
72 页 / 3.63 MByte

PBSS8110 数据手册

Nexperia(安世)
低饱和电压 NPN 晶体管,Nexperia一系列 NXP BISS(小信号的重大突破)低饱和电压 NPN 双极接线晶体管。 这些设备具有极低集电极-发射极饱和电压和高集电极电流容量,采用紧凑的空间节省型封装。 这些晶体管减少损失,可在用于切换和数字应用时减少热量的产生并整体提高效率。### 双极晶体管,Nexperia
Nexperia(安世)
PBSS8110X 系列 100 V 1 A 表面贴装 NPN 低 VCEsat (BISS) 晶体管 - SOT-89-3
Nexperia(安世)
低饱和电压 NPN 晶体管,Nexperia一系列 NXP BISS(小信号的重大突破)低饱和电压 NPN 双极接线晶体管。 这些设备具有极低集电极-发射极饱和电压和高集电极电流容量,采用紧凑的空间节省型封装。 这些晶体管减少损失,可在用于切换和数字应用时减少热量的产生并整体提高效率。### 双极晶体管,Nexperia
Nexperia(安世)
NXP(恩智浦)
NXP  PBSS8110X,135  单晶体管 双极, NPN, 100 V, 100 MHz, 2 W, 1 A, 150 hFE
Nexperia(安世)
Nexperia(安世)
NXP(恩智浦)
NXP  PBSS8110T,215  单晶体管 双极, NPN, 100 V, 100 MHz, 300 mW, 1 A, 150 hFE
NXP(恩智浦)
NXP Semiconductors
NXP(恩智浦)
NXP  PBSS8110X  单晶体管 双极, NPN, 100 V, 100 MHz, 2 W, 1 A, 150 hFE
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