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2N7000_D26Z 数据手册 - ON Semiconductor（安森美）

制造商:

ON Semiconductor（安森美）

分类:

MOS管

封装:

TO-92

描述:

2N7000 系列 60V 5 Ohms N 沟道增强模式场效应晶体管-TO-92

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

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2N7000_D26Z 数据手册 (12 页)

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2N7000_D26Z 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Through Hole

引脚数

3 Pin

封装

TO-92

功耗

0.4 W

漏源极电压(Vds)

60 V

输入电容值(Ciss)

20pF @25V(Vds)

工作温度(Max)

150 ℃

工作温度(Min)

-55 ℃

耗散功率(Max)

400 mW

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2N7000_D26Z 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Active

包装方式

Tape & Reel (TR)

长度

5.2 mm

宽度

4.19 mm

高度

5.33 mm

工作温度

-55℃ ~ 150℃

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2N7000_D26Z 符合标准

2N7000_D26Z 概述

2N7000_D26Z 数据手册

ON Semiconductor（安森美）

12 页 / 0.42 MByte

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