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器件3D模型
¥ 1.953
PD84001 数据手册 - ST Microelectronics(意法半导体)
制造商:
ST Microelectronics(意法半导体)
分类:
MOS管
封装:
SOT-89
描述:
STMICROELECTRONICS PD84001 晶体管, 射频FET, 18 V, 1.5 A, 6 W, 1 GHz, SOT-89
Pictures:
3D模型
符号图
焊盘图
引脚图
产品图
PDF文件:
PD84001 数据手册 (18 页)
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PD84001 技术参数、封装参数
类型
描述
安装方式
Surface Mount
频率
870 MHz
引脚数
3 Pin
额定电流
1.5 A
封装
SOT-89
针脚数
3 Position
功耗
6 W
漏源极电压(Vds)
18 V
输出功率
30 dBm
增益
15 dB
测试电流
50 mA
输入电容值(Ciss)
14.7pF @7V(Vds)
工作温度(Max)
150 ℃
工作温度(Min)
-65 ℃
耗散功率(Max)
6000 mW
额定电压
18 V
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PD84001 外形尺寸、物理参数、其它
类型
描述
产品生命周期
Active
包装方式
Tape & Reel (TR)
长度
4.6 mm
宽度
2.6 mm
高度
1.6 mm
工作温度
-65℃ ~ 150℃
查看数据手册 >
PD84001 符合标准
PD84001 海关信息
PD84001 概述
●
射频 MOSFET 晶体管,STMicroelectronics
●
射频晶体管为 LDMOS,适用于范围为 1 MHz 至 2 GHz 应用中的 L 频段卫星上行链路和 DMOS 功率晶体管。
●
### MOSFET 晶体管,STMicroelectronics
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