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PDTA114ET
0.009
PDTA114ET 数据手册 (17 页)
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PDTA114ET 技术参数、封装参数

类型
描述
引脚数
3 Pin
封装
SOT-23
极性
PNP
功耗
250 mW
击穿电压(集电极-发射极)
50 V
集电极最大允许电流
100mA
直流电流增益(hFE)
30
工作温度(Max)
150 ℃

PDTA114ET 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Unknown

PDTA114ET 数据手册

NXP(恩智浦)
17 页 / 0.7 MByte
NXP(恩智浦)
18 页 / 0.83 MByte
NXP(恩智浦)
18 页 / 0.94 MByte
NXP(恩智浦)
14 页 / 0.17 MByte

PDTA114 数据手册

Nexperia(安世)
双电阻器数字 PNP 晶体管,Nexperia### 数字晶体管,Nexperia配备电阻器的双极性晶体管也称为“数字晶体管”或“偏流电阻器的晶体管”,包含一个或两个集成电阻器。 单一系列输入电阻器,或两个电阻器的分压器能直接从数字源驱动这些设备。 提供单和双晶体管型号。
Nexperia(安世)
双电阻器数字 PNP 晶体管,Nexperia### 数字晶体管,Nexperia配备电阻器的双极性晶体管也称为“数字晶体管”或“偏流电阻器的晶体管”,包含一个或两个集成电阻器。 单一系列输入电阻器,或两个电阻器的分压器能直接从数字源驱动这些设备。 提供单和双晶体管型号。
Nexperia(安世)
Nexperia PDTA114YT,215 PNP 数字晶体管, 100 mA, Vce=50 V, 10 kΩ, 电阻比:0.21,1, 3引脚
NXP(恩智浦)
NXP  PDTA114EU,115  单晶体管 双极, BRT, PNP, -50 V, 180 MHz, 200 mW, -100 mA, 30 hFE
NXP(恩智浦)
NXP  PDTA114ET,215  单晶体管 双极, BRT, PNP, -50 V, 180 MHz, 250 mW, 100 mA, 30 hFE
Nexperia(安世)
Nexperia PDTA114TT,215 PNP 数字晶体管, 100 mA, Vce=50 V, 10 kΩ, 电阻比:无, 3引脚 SOT-23 (TO-236AB)封装
Nexperia(安世)
Nexperia PDTA114YU,115 PNP 数字晶体管, 100 mA, Vce=50 V, 10 kΩ, 电阻比:0.21,1, 3引脚 UMT封装
NXP(恩智浦)
NXP  PDTA114YE,115  单晶体管 双极, BRT, PNP, -50 V, 180 MHz, 150 mW, -100 mA, 100 hFE
Nexperia(安世)
Nexperia PDTA114TU,115 PNP 数字晶体管, 100 mA, Vce=50 V, 10 kΩ, 电阻比:无, 3引脚 UMT封装
NXP(恩智浦)
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