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ZTX649
0.276
ZTX649 数据手册 (3 页)
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ZTX649 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Through Hole
频率
240 MHz
引脚数
3 Pin
额定电压(DC)
25.0 V
额定电流
2.00 A
封装
E-Line-3
针脚数
3 Position
极性
NPN
功耗
1 W
击穿电压(集电极-发射极)
25 V
集电极最大允许电流
2A
最小电流放大倍数
100 @1A, 2V
额定功率(Max)
1 W
直流电流增益(hFE)
200
工作温度(Max)
200 ℃
工作温度(Min)
-55 ℃
耗散功率(Max)
1000 mW

ZTX649 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Active
包装方式
Bulk
材质
Silicon
工作温度
-55℃ ~ 200℃

ZTX649 数据手册

Diodes(美台)
3 页 / 0.06 MByte
Diodes(美台)
293 页 / 0.91 MByte
Diodes(美台)
1 页 / 0.01 MByte
Diodes(美台)
1 页 / 0.15 MByte
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