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PDTC123JT,215
0.009
PDTC123JT,215 数据手册 (18 页)
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PDTC123JT,215 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Surface Mount
引脚数
3 Pin
封装
SOT-23-3
功耗
0.25 W
击穿电压(集电极-发射极)
50 V
最小电流放大倍数
100 @10mA, 5V
额定功率(Max)
250 mW
工作温度(Max)
150 ℃
工作温度(Min)
-65 ℃
耗散功率(Max)
250 mW

PDTC123JT,215 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Active
包装方式
Tape & Reel (TR)
长度
3 mm
宽度
1.4 mm
高度
1 mm

PDTC123JT,215 数据手册

Nexperia(安世)
18 页 / 0.83 MByte
Nexperia(安世)
206 页 / 0.21 MByte
Nexperia(安世)
18 页 / 0.94 MByte
Nexperia(安世)
6 页 / 0.19 MByte
Nexperia(安世)
72 页 / 3.63 MByte

PDTC123 数据手册

NXP(恩智浦)
NPN电阻配备晶体管 NPN resistor-equipped transistor
Nexperia(安世)
PDTC123J 系列 50 V 100 mA 表面贴装 NPN 配备电阻 晶体管 - SOT-23-3
Nexperia(安世)
Nexperia PDTC123ET,215 NPN 数字晶体管, 100 mA, Vce=50 V, 2.2 kΩ, 电阻比:1, 3引脚 SOT-23 (TO-236AB)封装
Nexperia(安世)
NXP PDTC123JU,115 NPN 数字晶体管, 100 mA, Vce=50 V, 2.2 kΩ, 电阻比:0.047, 3引脚 UMT封装
Nexperia(安世)
Nexperia PDTC123YU,115 NPN 数字晶体管, 100 mA, Vce=50 V, 2.2 kΩ, 电阻比:0.22, 3引脚 SOT-323 (SC-70)封装
NXP(恩智浦)
NXP  PDTC123JT,215  晶体管 双极预偏置/数字, BRT, 50 V, 100 mA, 2.2 kohm, 47 kohm, SOT-23
Nexperia(安世)
NXP PDTC123YT,215 NPN 数字晶体管, 100 mA, Vce=50 V, 2.2 kΩ, 电阻比:0.22, 3引脚 SOT-23封装
Nexperia(安世)
NXP PDTC123EU,115 NPN 数字晶体管, 100 mA, Vce=50 V, 2.2 kΩ, 电阻比:1, 3引脚 UMT封装
Nexperia(安世)
NXP(恩智浦)
NXP  PDTC123ET,215  单晶体管 双极, BRT, NPN, 50 V, 250 mW, 100 mA, 30 hFE
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