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PESD5V0U1UT,215
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PESD5V0U1UT,215 数据手册 (15 页)
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PESD5V0U1UT,215 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Surface Mount
引脚数
3 Pin
电容
1.5 pF
封装
SOT-23-3
击穿电压
7.6 V
电路数
1 Circuit
通道数
2 Channel
功耗
80 W
钳位电压
21 V
测试电流
5 mA
脉冲峰值功率
80 W
最小反向击穿电压
7 V
击穿电压
7 V
工作温度(Max)
150 ℃
工作温度(Min)
-65 ℃

PESD5V0U1UT,215 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Active
包装方式
Tape & Reel (TR)
长度
3 mm
宽度
1.4 mm
高度
1 mm
工作温度
-65℃ ~ 150℃ (TA)

PESD5V0U1UT,215 数据手册

NXP(恩智浦)
15 页 / 0.21 MByte
NXP(恩智浦)
206 页 / 0.21 MByte
NXP(恩智浦)
14 页 / 0.21 MByte

PESD5V0U1 数据手册

Nexperia(安世)
ESD 保护二极管 Nexperia PESD5V0U1UA,115 单向, 2针 SOD-323封装
Nexperia(安世)
PESDxxxL2 系列,低电容双路双向 ESD 保护二极管,Nexperia低电容双向双路静电放电 (ESD) 保护二极管,采用超小型表面安装设备 (SMD) 塑料封装,设计用于保护最多两条信号线路不被 ESD 及其他瞬态损坏。### 瞬态电压抑制器,Nexperia
Nexperia(安世)
PESDxxxL2 系列,低电容双路双向 ESD 保护二极管,Nexperia低电容双向双路静电放电 (ESD) 保护二极管,采用超小型表面安装设备 (SMD) 塑料封装,设计用于保护最多两条信号线路不被 ESD 及其他瞬态损坏。### 瞬态电压抑制器,Nexperia
Nexperia(安世)
ESD (ElectroStatic Discharge) Protection Unidirectional Diode Arrays, PESD Series, Nexperia### 瞬态电压抑制器,Nexperia
Nexperia(安世)
PESDxxxU1 系列,超低电容双向 ESD 保护二极管,Nexperia超低电容双向静电放电 (ESD) 保护二极管,采用在小型表面贴装器件 (SMD) 塑料封装,设计用于保护一条数据线路。### 瞬态电压抑制器,Nexperia
NXP(恩智浦)
NXP  PESD5V0U1BB,115  二极管, TVS, 5V, SOD-523
Nexperia(安世)
PESDxxxL2 系列,低电容双路双向 ESD 保护二极管,Nexperia低电容双向双路静电放电 (ESD) 保护二极管,采用超小型表面安装设备 (SMD) 塑料封装,设计用于保护最多两条信号线路不被 ESD 及其他瞬态损坏。### 瞬态电压抑制器,Nexperia
NXP(恩智浦)
NXP  PESD5V0U1BL,315  静电保护装置, SOD-882, 2 引脚
NXP(恩智浦)
NXP  PESD5V0U1BA,115  二极管, TVS, 5V, SOD-323
NXP(恩智浦)
PESDxU1UT 系列 21 V 1.5 pF 超低电容 ESD 保护 二极管-SOT-23-3
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