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PHE13009/DG,127 数据手册 - We En Semiconductor

制造商:

We En Semiconductor

分类:

双极性晶体管

封装:

TO-220-3

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

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PHE13009/DG,127 数据手册 (8 页)

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PHE13009/DG,127 数据手册 (8 页)

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PHE13009/DG,127 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Through Hole

引脚数

3 Pin

封装

TO-220-3

极性

NPN

击穿电压(集电极-发射极)

400 V

集电极最大允许电流

12A

最小电流放大倍数

8 @5A, 5V

额定功率(Max)

80 W

工作温度(Max)

150 ℃

工作温度(Min)

-65 ℃

耗散功率(Max)

80000 mW

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PHE13009/DG,127 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Active

包装方式

Rail

材质

Silicon

工作温度

150℃ (TJ)

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PHE13009/DG,127 符合标准

PHE13009/DG,127 概述

PHE13009/DG,127 数据手册

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8 页 / 0.12 MByte

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