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PIC16F648AT-E/ML
器件3D模型
1.49
PIC16F648AT-E/ML 数据手册 (180 页)
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PIC16F648AT-E/ML 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Surface Mount
引脚数
28 Pin
电源电压
5.00 V, 5.50 V (max)
封装
QFN-28
时钟频率
20.0MHz (max)
RAM大小
256 B
位数
8 Bit
功耗
800 mW
I/O引脚数
16 IO
存取时间
20.0 µs
核心架构
PIC
核心子架构
PIC16
工作温度(Max)
125 ℃
工作温度(Min)
40 ℃
耗散功率(Max)
800 mW
电源电压(Max)
5.5 V
电源电压(Min)
3 V

PIC16F648AT-E/ML 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Active
包装方式
Tape & Reel (TR)
长度
6 mm
宽度
6 mm
高度
0.88 mm
工作温度
-40℃ ~ 125℃ (TA)

PIC16F648AT-E/ML 数据手册

Microchip(微芯)
180 页 / 2.92 MByte
Microchip(微芯)
137 页 / 5.82 MByte
Microchip(微芯)
22 页 / 0.44 MByte
Microchip(微芯)
15 页 / 0.17 MByte
Microchip(微芯)
18 页 / 0.58 MByte
Microchip(微芯)
2 页 / 0.1 MByte

PIC16F648 数据手册

Microchip(微芯)
PIC16F627A/628A/648A 微控制器Microchip 的 PIC16F 系列微控制器 8 位 MCU,将 Microchip 的 PIC® 体系架构融入到引脚和封装选件中,从节省空间的 14 引脚设备到功能丰富的 64 引脚设备。 带有基线、中级或增强型中级体系架构的设备提供多种不同的外围设备组合,可谓设计人员提供灵活性,并为应用提供选择。 PIC16F627A/628A/648A 系列微控制器基于 Microchip 中档内核,带 8 层深硬件堆栈和 35 个指令。 这些 MCU 提供高达 5 MIPS、高达 3.5 K 字节的程序内存,224 字节 RAM 和多达 128 字节的数据 EEPROM。 板载是一个振荡器,工厂校准到 ±1% 精确度。### 微控制器功能最大 20 MHz CPU 速度 35 个指令 8 级硬件堆栈 16 个输入/输出引脚 通电重置 (POR) 通电计时器 (PWRT) 振荡器启动计时器 (OST) 掉电重置 (BOR) 监控计时器 (WDT) 低电压编程 (LVP) 在线串行编程 (ICSP) ### 外设两个比较器 捕获/比较/PWM 模块 两个 8 位计时器 一个 16 位计时器 ### PIC16 微控制器
Microchip(微芯)
MICROCHIP  PIC16F648A-I/P  微控制器, 8位, 闪存, PIC16F6xxx, 20 MHz, 7 KB, 256 Byte, 18 引脚, DIP
Microchip(微芯)
MICROCHIP  PIC16F648A-I/SS  微控制器, 8位, 闪存, PIC16F6xxx, 20 MHz, 7 KB, 256 Byte, 20 引脚, SSOP
Microchip(微芯)
基于闪存的8位CMOS微控制器 FLASH-Based 8-Bit CMOS Microcontrollers
Microchip(微芯)
PIC16 系列 256 B RAM 7 kB 闪存 8位 CMOS 微控制器 - SSOP-20
Microchip(微芯)
MICROCHIP  PIC16F648AT-I/SO  微控制器, 8位, 闪存, PIC16F6xxx, 20 MHz, 7 KB, 256 Byte, 18 引脚, SOIC
Microchip(微芯)
PIC16 8位 微控制器 带7 KB闪存 采用20引脚SSOP封装
Microchip(微芯)
基于闪存的8位CMOS微控制器采用纳瓦技术 Flash-Based, 8-Bit CMOS Microcontrollers with nanoWatt Technology
Microchip(微芯)
基于闪存的8位CMOS微控制器采用纳瓦技术 Flash-Based, 8-Bit CMOS Microcontrollers with nanoWatt Technology
Microchip(微芯)
基于闪存的8位CMOS微控制器 FLASH-Based 8-Bit CMOS Microcontrollers
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