PMBT2369 数据手册 - NXP（恩智浦）

●集电极-基极反向击穿电压V(BR)CBOCollector-Base Voltage(VCBO)| 40V \---|--- 集电极-发射极反向击穿电压V(BR)CEOCollector-Emitter Voltage(VCEO)| 15V 集电极连续输出电流ICCollector Current(IC)| 200mA/0.2A 截止频率fTTranstion Frequency(fT)| 500MHz 直流电流增益hFEDC Current Gain(hFE)| 120 管压降VCE（sat）Collector-Emitter Saturation Voltage| 250mV/0.25V 耗散功率PcPower Dissipation| 250mW/0.25W Description & Applications| NPN switching transistors FEATURES • Low current (max. 200 mA) • Low voltage (max. 15 V). APPLICATIONS • High-speed switching, especially in portable equipment. DESCRIPTION NPN switching transistor in a SOT23 plastic package. 描述与应用| NPN开关晶体管 特点 •低电流（最大200毫安） •低电压（最大15 V）。 应用 •高速切换，特别是在便携式设备。 说明 NPN开关晶体管在SOT23塑料包装。