PMBT2907 数据手册 - NXP（恩智浦）

●集电极-基极反向击穿电压V(BR)CBOCollector-Base Voltage(VCBO)| -60V \---|--- 集电极-发射极反向击穿电压V(BR)CEOCollector-Emitter Voltage(VCEO)| −40V 集电极连续输出电流ICCollector Current(IC)| −600mA/- 0.6A 截止频率fTTranstion Frequency(fT)| 200MHz 直流电流增益hFEDC Current Gain(hFE)| 100~300 管压降VCE（sat）Collector-Emitter SaturationVoltage| -400mV/-0.4V 耗散功率PcPoWer Dissipation| 250mW/0.25W Description & Applications| PNP switching transistors FEATURES • Low current • Low voltage • NPN complement: PMBT2222 APPLICATIONS • Switching and linear amplification. 描述与应用| PNP开关晶体管 特点 •低电流 •低电压 •NPN补充：PMBT2222 应用 •开关和线性放大。