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PMV45EN2
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PMV45EN2 数据手册 (15 页)
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PMV45EN2 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Surface Mount
引脚数
3 Pin
封装
SOT-23
漏源极电阻
0.035 Ω
极性
N-Channel
功耗
510 mW
阈值电压
1.5 V
漏源极电压(Vds)
30 V
连续漏极电流(Ids)
5.1A
工作温度(Max)
150 ℃

PMV45EN2 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Unknown

PMV45EN2 数据手册

NXP(恩智浦)
15 页 / 0.45 MByte

PMV45 数据手册

Nexperia(安世)
单 N-沟道 30 V 5000 mW 6.3 nC 硅 表面贴装 Mosfet - SOT-23
Nexperia(安世)
晶体管, MOSFET, N沟道, 800 mA, 60 V, 0.3 ohm, 10 V, 1.7 V
NXP(恩智浦)
NXP  PMV45EN  晶体管, MOSFET, N沟道, 5.4 A, 30 V, 35 mohm, 10 V, 1.5 V
NXP(恩智浦)
N 通道 MOSFET,1A 至 9A,NXP Semiconductors### MOSFET 晶体管,NXP Semiconductors
NXP(恩智浦)
PMV45EN2 系列 30 V 42 mOhm 表面贴装 N-沟道 Trench MOSFET - TO-236AB
Nexperia(安世)
NXP(恩智浦)
Nexperia(安世)
Nexperia(安世)
晶体管, MOSFET, N沟道, 5.4 A, 30 V, 0.035 ohm, 10 V, 1.5 V
Philips(飞利浦)
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