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PMV45EN2R
0.044
PMV45EN2R 数据手册 (16 页)
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PMV45EN2R 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Surface Mount
引脚数
3 Pin
封装
SOT-23-3
功耗
1.115 W
输入电容
209 pF
上升时间
12 ns
正向电压(Max)
1.2 V
输入电容值(Ciss)
209pF @15V(Vds)
下降时间
2 ns
工作温度(Max)
150 ℃
工作温度(Min)
-55 ℃
耗散功率(Max)
510mW (Ta), 5W (Tc)

PMV45EN2R 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Active
包装方式
Tape & Reel (TR)
长度
3 mm
工作温度
-55℃ ~ 150℃ (TJ)

PMV45EN2R 数据手册

Nexperia(安世)
16 页 / 0.62 MByte

PMV45EN2 数据手册

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Nexperia(安世)
单 N-沟道 30 V 5000 mW 6.3 nC 硅 表面贴装 Mosfet - SOT-23
NXP(恩智浦)
N 通道 MOSFET,1A 至 9A,NXP Semiconductors### MOSFET 晶体管,NXP Semiconductors
NXP(恩智浦)
PMV45EN2 系列 30 V 42 mOhm 表面贴装 N-沟道 Trench MOSFET - TO-236AB
Nexperia(安世)
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NXP(恩智浦)
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