￥ 0.074

SI2315BDS-T1-E3 数据手册 - VISHAY（威世）

制造商:

VISHAY（威世）

分类:

MOS管

封装:

SOT-23-3

描述:

-12V,-3A,P沟道功率MOSFET

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

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SI2315BDS-T1-E3 数据手册 (8 页)

封装尺寸在6 页

SI2315BDS-T1-E3 数据手册 (8 页)

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SI2315BDS-T1-E3 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Surface Mount

引脚数

3 Pin

封装

SOT-23-3

额定功率

1.19 W

针脚数

3 Position

漏源极电阻

0.04 Ω

极性

P-Channel

功耗

1.19 W

漏源极电压(Vds)

12 V

栅源击穿电压

±8.00 V

连续漏极电流(Ids)

-3.00 A

上升时间

35 ns

输入电容值(Ciss)

715pF @6V(Vds)

额定功率(Max)

750 mW

下降时间

50 ns

工作温度(Max)

150 ℃

工作温度(Min)

-55 ℃

耗散功率(Max)

1190 mW

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SI2315BDS-T1-E3 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Active

包装方式

Tape & Reel (TR)

工作温度

-55℃ ~ 150℃ (TJ)

最小包装数量

3000

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SI2315BDS-T1-E3 符合标准

SI2315BDS-T1-E3 数据手册

VISHAY（威世）

8 页 / 0.17 MByte

SI2315BDS-T1-E3 其他数据使用手册

VISHAY（威世）

10 页 / 0.24 MByte

SI2315BDS-T1-E3 产品修订记录

VISHAY（威世）

2 页 / 0.09 MByte

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