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PMV65UNER
0.087
PMV65UNER 数据手册 (16 页)
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PMV65UNER 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Surface Mount
引脚数
3 Pin
封装
SOT-23-3
功耗
0.94 W
输入电容
291 pF
漏源极电压(Vds)
20 V
上升时间
23 ns
输入电容值(Ciss)
291pF @10V(Vds)
下降时间
12 ns
工作温度(Max)
150 ℃
工作温度(Min)
-55 ℃
耗散功率(Max)
490mW (Ta), 940mW (Tc)

PMV65UNER 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Active
包装方式
Tape & Reel (TR)
工作温度
-55℃ ~ 150℃ (TJ)

PMV65UNER 数据手册

Nexperia(安世)
16 页 / 0.36 MByte

PMV65 数据手册

Nexperia(安世)
PMV 系列 20 V 76 mΩ 1.92 W P 沟道 TrenchMOS 超低电平 FET -SOT-23
NXP(恩智浦)
NXP  PMV65XP,215  晶体管, MOSFET, P沟道, -4.3 A, -20 V, 0.058 ohm, -4.5 V, -750 mV
Nexperia(安世)
P沟道 VDS=-20V VGS=±12V ID=-3.3A P=890mW
Nexperia(安世)
N沟道 VDS=20V VGS=±8V ID=2.8A P=490mW
Nexperia(安世)
晶体管, MOSFET, P沟道, -2.8 A, -20 V, 0.067 ohm, -4.5 V, -1 V
Nexperia(安世)
晶体管, MOSFET, N沟道, 2.7 A, 40 V, 0.064 ohm, 10 V, 1.6 V
Nexperia(安世)
P 通道 MOSFET,Nexperia### MOSFET 晶体管,NXP Semiconductors
NXP(恩智浦)
P沟道的TrenchMOS极低水平FET P-channel TrenchMOS extremely low level FET
Nexperia(安世)
Panduit(泛达)
环形舌片端子, M5, #10, 10 AWG, 6 mm², PMV Series, 黄色
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