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PMV65XP,215 数据手册 - Nexperia（安世）

制造商:

Nexperia（安世）

分类:

MOS管

封装:

SOT-23-3

描述:

PMV 系列 20 V 76 mΩ 1.92 W P 沟道 TrenchMOS 超低电平 FET -SOT-23

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

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PMV65XP,215 数据手册 (14 页)

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PMV65XP,215 数据手册 (14 页)

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PMV65XP,215 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Surface Mount

引脚数

3 Pin

封装

SOT-23-3

针脚数

3 Position

漏源极电阻

0.058 Ω

功耗

833 mW

阈值电压

650 mV

输入电容

744 pF

漏源极电压(Vds)

20 V

上升时间

18 ns

输入电容值(Ciss)

744pF @20V(Vds)

额定功率(Max)

1.92 W

下降时间

68 ns

工作温度(Max)

150 ℃

工作温度(Min)

-55 ℃

耗散功率(Max)

480mW (Ta)

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PMV65XP,215 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Active

包装方式

Tape & Reel (TR)

长度

3 mm

宽度

1.4 mm

高度

1 mm

工作温度

-55℃ ~ 150℃ (TJ)

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PMV65XP,215 符合标准

PMV65XP,215 概述

PMV65XP,215 数据手册

Nexperia（安世）

14 页 / 0.25 MByte

PMV65XP,215 其他数据使用手册

Nexperia（安世）

206 页 / 0.21 MByte

PMV65XP,215 产品修订记录

Nexperia（安世）

72 页 / 3.63 MByte

PMV65XP,215 其他参考文件

Nexperia（安世）

1 页 / 0.13 MByte

PMV65 数据手册

PMV65XP,215 数据手册

Nexperia（安世）

PMV 系列 20 V 76 mΩ 1.92 W P 沟道 TrenchMOS 超低电平 FET -SOT-23

PMV65XP,215 数据手册

NXP（恩智浦）

NXP PMV65XP,215 晶体管, MOSFET, P沟道, -4.3 A, -20 V, 0.058 ohm, -4.5 V, -750 mV

PMV65XPER 数据手册

Nexperia（安世）

P沟道 VDS=-20V VGS=±12V ID=-3.3A P=890mW

PMV65UNER 数据手册

Nexperia（安世）

N沟道 VDS=20V VGS=±8V ID=2.8A P=490mW

PMV65XPEAR 数据手册

Nexperia（安世）

晶体管, MOSFET, P沟道, -2.8 A, -20 V, 0.067 ohm, -4.5 V, -1 V

PMV65ENEAR 数据手册

Nexperia（安世）

晶体管, MOSFET, N沟道, 2.7 A, 40 V, 0.064 ohm, 10 V, 1.6 V

PMV65XP 数据手册

Nexperia（安世）

P 通道 MOSFET，Nexperia### MOSFET 晶体管，NXP Semiconductors

PMV65XP 数据手册

NXP（恩智浦）

P沟道的TrenchMOS极低水平FET P-channel TrenchMOS extremely low level FET

PMV65XP.215 数据手册

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环形舌片端子, M5, #10, 10 AWG, 6 mm², PMV Series, 黄色

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