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QS6J1TR 数据手册 - ROHM Semiconductor（罗姆半导体）

制造商:

ROHM Semiconductor（罗姆半导体）

分类:

MOS管

封装:

TSOT-23-6

描述:

P-沟道 + P-沟道 1.25 W -20 V 340 mOhm 表面贴装 2.5 V 驱动 MosFet -TSMT -6

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

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QS6J1TR 数据手册 (4 页)

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QS6J1TR 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Surface Mount

引脚数

6 Pin

额定电压(DC)

-20.0 V

额定电流

-1.50 A

封装

TSOT-23-6

通道数

2 Channel

漏源极电阻

0.31 Ω

极性

P-Channel, Dual P-Channel

功耗

1.25 W

漏源极电压(Vds)

20 V

连续漏极电流(Ids)

1.50 A

上升时间

12 ns

输入电容值(Ciss)

270pF @10V(Vds)

额定功率(Max)

1.25 W

下降时间

20 ns

工作温度(Max)

150 ℃

工作温度(Min)

-55 ℃

耗散功率(Max)

1250 mW

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QS6J1TR 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Active

包装方式

Tape & Reel (TR)

材质

Silicon

宽度

1.6 mm

工作温度

150℃ (TJ)

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QS6J1TR 符合标准

QS6J1TR 数据手册

ROHM Semiconductor（罗姆半导体）

4 页 / 0.04 MByte

QS6J1TR 其他数据使用手册

ROHM Semiconductor（罗姆半导体）

14 页 / 1.39 MByte

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ROHM Semiconductor（罗姆半导体）

1 页 / 0.14 MByte

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