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QS6K21TR 数据手册 - ROHM Semiconductor（罗姆半导体）

制造商:

ROHM Semiconductor（罗姆半导体）

分类:

MOS管

封装:

TSOT-23-6

描述:

QS6K21 系列 45 V 450 mOhm 1 A 表面贴装 N-沟道功率 Mosfet - TSMT-6

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

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QS6K21TR 数据手册 (12 页)

封装尺寸在11 页

QS6K21TR 数据手册 (12 页)

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QS6K21TR 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Surface Mount

引脚数

6 Pin

封装

TSOT-23-6

通道数

2 Channel

针脚数

6 Position

漏源极电阻

420 mΩ

极性

Dual N-Channel

功耗

1.25 W

阈值电压

1.5 V

漏源极电压(Vds)

45 V

漏源击穿电压

45 V

上升时间

8 ns

输入电容值(Ciss)

95pF @10V(Vds)

额定功率(Max)

1.25 W

下降时间

7 ns

工作温度(Max)

150 ℃

工作温度(Min)

-55 ℃

耗散功率(Max)

1250 mW

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QS6K21TR 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Not For New Designs

包装方式

Tape & Reel (TR)

长度

2.9 mm

宽度

1.6 mm

高度

0.95 mm

工作温度

-55℃ ~ 150℃ (TJ)

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QS6K21TR 符合标准

QS6K21TR 概述

QS6K21TR 数据手册

ROHM Semiconductor（罗姆半导体）

12 页 / 0.88 MByte

QS6K21TR 其他数据使用手册

ROHM Semiconductor（罗姆半导体）

14 页 / 2.5 MByte

QS6K21 数据手册

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ROHM QS6K21FRATR 晶体管, MOSFET, AEC-Q101, N沟道, 1 A, 45 V, 0.3 ohm, 4.5 V, 1.5 V

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