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QSZ4TR 数据手册 - ROHM Semiconductor（罗姆半导体）

制造商:

ROHM Semiconductor（罗姆半导体）

分类:

双极性晶体管

封装:

TSOT-23-5

描述:

双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) ISO TRANSISTORDIODE GEN PURP

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

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QSZ4TR 数据手册 (5 页)

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QSZ4TR 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Surface Mount

频率

280 MHz

引脚数

5 Pin

封装

TSOT-23-5

额定功率

1.25 W

极性

NPN+PNP

功耗

1.25 W

击穿电压(集电极-发射极)

30 V

集电极最大允许电流

最小电流放大倍数

270 @200mA, 2V

最大电流放大倍数

680

额定功率(Max)

1.25 W

工作温度(Max)

150 ℃

工作温度(Min)

-55 ℃

耗散功率(Max)

1250 mW

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QSZ4TR 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Active

包装方式

Tape & Reel (TR)

材质

Silicon

工作温度

150℃ (TJ)

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QSZ4TR 符合标准

QSZ4TR 概述

QSZ4TR 数据手册

ROHM Semiconductor（罗姆半导体）

5 页 / 0.92 MByte

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