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R6030MNX 数据手册 - ROHM Semiconductor（罗姆半导体）

制造商:

ROHM Semiconductor（罗姆半导体）

封装:

TO-220-3

描述:

晶体管, MOSFET, N沟道, 30 A, 600 V, 0.11 ohm, 10 V, 5 V

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

PDF文件:

R6030MNX 数据手册 (15 页)

R6030MNX 技术参数、封装参数

类型

描述

封装

TO-220-3

针脚数

3 Position

漏源极电阻

0.11 Ω

极性

功耗

90 W

阈值电压

5 V

漏源极电压(Vds)

600 V

连续漏极电流(Ids)

30A

输入电容值(Ciss)

2180pF @25V(Vds)

工作温度(Max)

150 ℃

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R6030MNX 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Active

包装方式

Tube

工作温度

-55℃ ~ 150℃ (TJ)

最小包装数量

1000

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R6030MNX 符合标准

R6030MNX 数据手册

ROHM Semiconductor（罗姆半导体）

15 页 / 2.21 MByte

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