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RB520S30T1G
0.012
RB520S30T1G 数据手册 (3 页)
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RB520S30T1G 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Surface Mount
引脚数
2 Pin
额定电压(DC)
30.0 V
额定电流
200 mA
封装
SOD-523
输出电流
≤200 mA
针脚数
2 Position
正向电压
600mV @200mA
极性
Standard
功耗
200 mW
热阻
635 ℃/W
反向恢复时间
6 ns
正向电流
200 mA
最大正向浪涌电流
200 mA
正向电压(Max)
600 mV
正向电流(Max)
200 mA
工作温度(Max)
150 ℃
工作温度(Min)
-55 ℃
耗散功率(Max)
200 mW

RB520S30T1G 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Active
包装方式
Tape & Reel (TR)
长度
1.3 mm
宽度
0.9 mm
高度
0.6 mm
工作温度
-55℃ ~ 150℃

RB520S30T1G 数据手册

ON Semiconductor(安森美)
3 页 / 0.08 MByte
ON Semiconductor(安森美)
12 页 / 0.23 MByte
ON Semiconductor(安森美)
2 页 / 0.05 MByte
ON Semiconductor(安森美)
3 页 / 0.04 MByte
ON Semiconductor(安森美)
1 页 / 0.26 MByte
ON Semiconductor(安森美)
1 页 / 0.13 MByte

RB520S30T1 数据手册

ON Semiconductor(安森美)
肖特基二极管 Schottky Barrier Diode
ON Semiconductor(安森美)
ON SEMICONDUCTOR  RB520S30T1G  小信号肖特基二极管, 单, 30 V, 200 mA, 600 mV, 200 mA, 150 °C
NXP(恩智浦)
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