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MMBF4391LT1G 数据手册 - ON Semiconductor（安森美）

制造商:

ON Semiconductor（安森美）

分类:

JFET晶体管

封装:

SOT-23-3

描述:

ON SEMICONDUCTOR MMBF4391LT1G. 场效应管, JFET

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

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MMBF4391LT1G 数据手册 (6 页)

封装尺寸在6 页

MMBF4391LT1G 数据手册 (6 页)

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MMBF4391LT1G 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Surface Mount

引脚数

3 Pin

额定电压(DC)

30.0 V

额定电流

50.0 mA

封装

SOT-23-3

无卤素状态

Halogen Free

击穿电压

-30.0 V

漏源极电阻

30 Ω

极性

N-Channel

功耗

225 mW

漏源极电压(Vds)

30 V

栅源击穿电压

30.0 V

击穿电压

30 V

输入电容值(Ciss)

14pF @15V(Vds)

额定功率(Max)

225 mW

工作温度(Max)

150 ℃

工作温度(Min)

-55 ℃

耗散功率(Max)

225 mW

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MMBF4391LT1G 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Active

包装方式

Tape & Reel (TR)

长度

2.9 mm

宽度

1.3 mm

高度

0.94 mm

工作温度

-55℃ ~ 150℃

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MMBF4391LT1G 符合标准

MMBF4391LT1G 海关信息

MMBF4391LT1G 概述

MMBF4391LT1G 数据手册

ON Semiconductor（安森美）

6 页 / 0.12 MByte

MMBF4391LT1G 其他数据使用手册

ON Semiconductor（安森美）

7 页 / 0.14 MByte

MMBF4391LT1G 产品设计图

ON Semiconductor（安森美）

2 页 / 0.03 MByte

MMBF4391LT1G 开发手册

ON Semiconductor（安森美）

4 页 / 0.14 MByte

MMBF4391LT1G 产品修订记录

ON Semiconductor（安森美）

5 页 / 0.31 MByte

MMBF4391LT1G 其他参考文件

ON Semiconductor（安森美）

1 页 / 0.15 MByte

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