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RB521S30T1G
0.014
RB521S30T1G 数据手册 (4 页)
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RB521S30T1G 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Surface Mount
引脚数
2 Pin
额定电压(DC)
30.0 V
额定电流
200 mA
封装
SOD-523
输出电流
≤200 mA
负载电流
0.2 A
针脚数
2 Position
正向电压
500mV @200mA
极性
Standard
功耗
200 mW
热阻
635℃/W (RθJA)
反向恢复时间
6 ns
正向电流
200 mA
最大正向浪涌电流
1 A
正向电压(Max)
500 mV
正向电流(Max)
200 mA
工作温度(Max)
125 ℃
工作温度(Min)
-55 ℃
耗散功率(Max)
200 mW

RB521S30T1G 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Active
包装方式
Tape & Reel (TR)
长度
1.3 mm
宽度
0.9 mm
高度
0.7 mm
工作温度
-55℃ ~ 125℃

RB521S30T1G 数据手册

ON Semiconductor(安森美)
4 页 / 0.14 MByte
ON Semiconductor(安森美)
11 页 / 0.1 MByte
ON Semiconductor(安森美)
2 页 / 0.05 MByte
ON Semiconductor(安森美)
3 页 / 0.11 MByte
ON Semiconductor(安森美)
1 页 / 0.26 MByte
ON Semiconductor(安森美)
1 页 / 0.13 MByte

RB521S30T1 数据手册

ON Semiconductor(安森美)
肖特基二极管 Schottky Barrier Diode
Won-Top Electronics
Leshan Radio(乐山无线电)
ON Semiconductor(安森美)
ON SEMICONDUCTOR  RB521S30T1G  小信号肖特基二极管, 单, 30 V, 200 mA, 500 mV, 1 A, 125 °C
Leshan Radio(乐山无线电)
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