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MJE15031G
0.852
MJE15031G 数据手册 (7 页)
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MJE15031G 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Through Hole
频率
70 MHz
引脚数
3 Pin
额定电压(DC)
-150 V
额定电流
-8.00 A
封装
TO-220-3
针脚数
3 Position
极性
PNP, P-Channel
功耗
50 W
增益频宽积
30 MHz
击穿电压(集电极-发射极)
150 V
热阻
2.5℃/W (RθJC)
集电极最大允许电流
8A
最小电流放大倍数
20 @4A, 2V
额定功率(Max)
50 W
直流电流增益(hFE)
40
工作温度(Max)
150 ℃
工作温度(Min)
-65 ℃
耗散功率(Max)
50000 mW

MJE15031G 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Active
包装方式
Tube
材质
Silicon
长度
10.28 mm
宽度
4.83 mm
高度
9.28 mm
工作温度
-65℃ ~ 150℃

MJE15031G 数据手册

ON Semiconductor(安森美)
7 页 / 0.18 MByte
ON Semiconductor(安森美)
7 页 / 0.13 MByte
ON Semiconductor(安森美)
2 页 / 0.02 MByte
ON Semiconductor(安森美)
5 页 / 0.15 MByte
ON Semiconductor(安森美)
1 页 / 0.13 MByte

MJE15031 数据手册

ON Semiconductor(安森美)
功率晶体管互补硅 POWER TRANSISTORS COMPLEMENTARY SILICON
Multicomp
MULTICOMP  MJE15031  单晶体管 双极, 通用, PNP, -150 V, 30 MHz, 50 W, -8 A, 40 hFE
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