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RE1C002ZPMGTL 数据手册 - ROHM Semiconductor（罗姆半导体）
制造商:
ROHM Semiconductor（罗姆半导体）
描述:
场效应管(MOSFET) RE1C002ZPMGTL SOT-416FL-3
Pictures:
3D模型
符号图
焊盘图
引脚图
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RE1C002ZPMGTL数据手册
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Datasheet
www.rohm.com
© 2012 ROHM Co., Ltd. All rights reserved.
RE1C002ZP
Pch -20V -200mA Small Signal MOSFET
°C/W
lThermal resistance
Parameter
Symbol
Values
Unit
Min.
Typ.
Max.
Thermal resistance, junction - ambient
R
thJA
*3
-
-
833
lOutline
V
DSS
-20V
EMT3F
R
DS(on)
(Max.)
1.2W
I
D
-200mA
P
D
150mW
lFeatures
lInner circuit
1) Low voltage drive(1.2V) makes this
device ideal for partable equipment.
2) Drive circuits can be simple.
3) Built-in G-S Protection Diode.
lPackaging specifications
Type
Packaging
Taping
lApplication
Reel size (mm)
180
Switching
Tape width (mm)
8
Basic ordering unit (pcs)
3,000
Drain - Source voltage
V
DSS
-20
V
Taping code
TL
Marking
YK
lAbsolute maximum ratings(T
a
= 25°C)
Parameter
Symbol
Value
Unit
Continuous drain current
I
D
*1
200
mA
Pulsed drain current
I
D,pulse
*2
800
mA
Power dissipation
Gate - Source voltage
V
GSS
10
V
P
D
*3
150
mW
Junction temperature
T
j
150
°C
Range of storage temperature
T
stg
-55 to +150
°C
*1 ESD PROTECTION DIODE
*2 BODY DIODE
(1) Gate
(2) Source
(3) Drain
(2)
(1)
(3)
1/10
2012.08 - Rev.A
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