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RE1C002ZPTL
0.023
RE1C002ZPTL 数据手册 (11 页)
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RE1C002ZPTL 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Surface Mount
引脚数
3 Pin
封装
SOT-416-3
针脚数
3 Position
漏源极电阻
0.8 Ω
极性
P-CH
功耗
150 mW
漏源极电压(Vds)
20 V
连续漏极电流(Ids)
0.2A
上升时间
4 ns
输入电容值(Ciss)
115pF @10V(Vds)
下降时间
17 ns
工作温度(Max)
150 ℃
工作温度(Min)
-55 ℃
耗散功率(Max)
150mW (Ta)

RE1C002ZPTL 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Active
包装方式
Tape & Reel (TR)
工作温度
-40℃ ~ 150℃ (TJ)

RE1C002ZPTL 数据手册

ROHM Semiconductor(罗姆半导体)
11 页 / 0.5 MByte
ROHM Semiconductor(罗姆半导体)
8 页 / 0.31 MByte
ROHM Semiconductor(罗姆半导体)
26 页 / 1.38 MByte

RE1C002 数据手册

ROHM Semiconductor(罗姆半导体)
N 通道 MOSFET 晶体管,ROHM### MOSFET 晶体管,ROHM Semiconductor
ROHM Semiconductor(罗姆半导体)
晶体管, MOSFET, P沟道, -200 mA, -20 V, 0.8 ohm, -4.5 V, -1 V
ROHM Semiconductor(罗姆半导体)
场效应管(MOSFET) RE1C002ZPMGTL SOT-416FL-3
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