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Datasheet 搜索 > 电压基准芯片 > ON Semiconductor(安森美) > REF3012TB-GT3 Datasheet 文档
REF3012TB-GT3
0.67
REF3012TB-GT3 数据手册 (9 页)
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REF3012TB-GT3 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Surface Mount
引脚数
3 Pin
容差
±0.2 %
封装
SOT-23-3
无卤素状态
Halogen Free
输出电压
1.25 V
输出电流
10 mA
供电电流
30 µA
输入电压(Max)
5.5 V
输出电压(Max)
1.2525 V
输出电压(Min)
1.25 V
输出电流(Max)
10 mA
工作温度(Max)
85 ℃
工作温度(Min)
-40 ℃
输入电压
2.7V ~ 5.5V

REF3012TB-GT3 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Unknown
包装方式
Tape & Reel (TR)
长度
3.04 mm
宽度
1.4 mm
高度
1.12 mm
工作温度
-40℃ ~ 85℃ (TA)
温度系数
±50 ppm/℃

REF3012TB-GT3 数据手册

ON Semiconductor(安森美)
9 页 / 0.25 MByte
ON Semiconductor(安森美)
16 页 / 0.68 MByte

REF3012 数据手册

TI(德州仪器)
采用 SOT23-3 封装的 1.25V 输出 50ppm/℃ 漂移 50uA 静态电流的(带隙)电压参考系列
TI(德州仪器)
1.25V,50℃,50ASOT23-3封装电压基准
TI(德州仪器)
TEXAS INSTRUMENTS  REF3012AIDBZT  电压基准, 精密, 低功率, 系列 - 固定, REF3012系列, 1.25V, SOT-23-3
TI(德州仪器)
TEXAS INSTRUMENTS  REF3012AIDBZTG4  电压基准, 精密, 低功率, 系列 - 固定, REF3012系列, 1.25V, SOT-23-3
TI(德州仪器)
参考电压 1.25V 50ppm/DegC 50uA SOT23-3 Series
ON Semiconductor(安森美)
0.6V 至 4.096V,ON Semiconductor### 电压参考,ON Semiconductor
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