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STP60NE06L-16
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STP60NE06L-16 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Through Hole
额定电压(DC)
60.0 V
额定电流
60.0 A
封装
TO-220-3
通道数
1 Channel
漏源极电阻
12 mΩ
极性
N-Channel
功耗
150 W
漏源极电压(Vds)
60 V
漏源击穿电压
60 V
栅源击穿电压
±15.0 V
连续漏极电流(Ids)
60.0 A
上升时间
155 ns
输入电容值(Ciss)
4150pF @25V(Vds)
下降时间
25 ns
工作温度(Max)
175 ℃
工作温度(Min)
65 ℃
耗散功率(Max)
150W (Tc)

STP60NE06L-16 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Obsolete
包装方式
Tube
长度
10.4 mm
宽度
4.6 mm
高度
9.15 mm
工作温度
175℃ (TJ)

STP60NE06L-16 数据手册

ST Microelectronics(意法半导体)
9 页 / 0.25 MByte
ST Microelectronics(意法半导体)
9 页 / 0.34 MByte

STP60NE06 数据手册

ST Microelectronics(意法半导体)
N - 沟道增强型单一特征尺寸功率MOSFET N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE SINGLE FEATURE SIZE POWER MOSFET
ST Microelectronics(意法半导体)
N - CHANNEL 60V - 0.014ohm - 60A TO- 220 / TO- 220FP的STripFET功率MOSFET N - CHANNEL 60V - 0.014ohm - 60A TO-220/TO-220FP STripFET POWER MOSFET
ST Microelectronics(意法半导体)
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