STP60NE06L-16

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STP60NE06L-16 数据手册 - ST Microelectronics（意法半导体）

制造商:

ST Microelectronics（意法半导体）

分类:

MOS管

封装:

TO-220-3

描述:

N - CHANNEL 60V - 0.014ohm - 60A TO- 220 / TO- 220FP的STripFET功率MOSFET N - CHANNEL 60V - 0.014ohm - 60A TO-220/TO-220FP STripFET POWER MOSFET

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

PDF文件:

STP60NE06L-16 数据手册 (9 页)

STP60NE06L-16 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Through Hole

额定电压(DC)

60.0 V

额定电流

60.0 A

封装

TO-220-3

通道数

1 Channel

漏源极电阻

12 mΩ

极性

N-Channel

功耗

150 W

漏源极电压(Vds)

60 V

漏源击穿电压

60 V

栅源击穿电压

±15.0 V

连续漏极电流(Ids)

60.0 A

上升时间

155 ns

输入电容值(Ciss)

4150pF @25V(Vds)

下降时间

25 ns

工作温度(Max)

175 ℃

工作温度(Min)

65 ℃

耗散功率(Max)

150W (Tc)

查看数据手册 >

STP60NE06L-16 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Obsolete

包装方式

Tube

长度

10.4 mm

宽度

4.6 mm

高度

9.15 mm

工作温度

175℃ (TJ)

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STP60NE06L-16 符合标准

STP60NE06L-16 概述

STP60NE06L-16 数据手册

STP60NE06L-16 数据手册

ST Microelectronics（意法半导体）

9 页 / 0.25 MByte

STP60NE06L-16 其他数据使用手册

ST Microelectronics（意法半导体）

9 页 / 0.34 MByte

STP60NE06 数据手册

STP60NE06-16 数据手册

ST Microelectronics（意法半导体）

N - 沟道增强型单一特征尺寸功率MOSFET N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE SINGLE FEATURE SIZE POWER MOSFET

STP60NE06L-16 数据手册

ST Microelectronics（意法半导体）

N - CHANNEL 60V - 0.014ohm - 60A TO- 220 / TO- 220FP的STripFET功率MOSFET N - CHANNEL 60V - 0.014ohm - 60A TO-220/TO-220FP STripFET POWER MOSFET

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