器件3D模型

￥ 3.386

REF5030IDR 数据手册 - TI（德州仪器）

制造商:

TI（德州仪器）

分类:

电压基准芯片

封装:

SOIC-8

描述:

低噪声，极低漂移，高精度电压基准 Low-Noise, Very Low Drift, Precision VOLTAGE REFERENCE

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

PDF文件:

REF5030IDR 数据手册 (27 页)

封装尺寸在14 页 15 页 16 页 17 页 18 页 20 页 21 页 22 页 23 页

典型应用电路图在12 页

原理图在10 页

REF5030IDR 数据手册 (27 页)

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REF5030IDR 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Surface Mount

引脚数

8 Pin

容差

±0.05 %

封装

SOIC-8

输出电压

3 V

输出电流

10 mA

供电电流

1.2 mA

通道数

1 Channel

静态电流

800 µA

输入电压(Max)

18 V

输出电压(Min)

3 V

工作温度(Max)

125 ℃

工作温度(Min)

40 ℃

精度

0.05 %

输入电压

3.2V ~ 18V

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REF5030IDR 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Active

包装方式

Tape & Reel (TR)

长度

4.9 mm

宽度

3.91 mm

高度

1.58 mm

工作温度

-40℃ ~ 125℃ (TA)

温度系数

±3 ppm/℃

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REF5030IDR 符合标准

REF5030IDR 数据手册

TI（德州仪器）

27 页 / 0.97 MByte

REF5030IDR 产品设计参考手册

TI（德州仪器）

152 页 / 5.85 MByte

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20 页 / 0.55 MByte

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