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SPB20N60S5
3.487
SPB20N60S5 数据手册 (11 页)
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SPB20N60S5 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Surface Mount
引脚数
3 Pin
额定电压(DC)
600 V
额定电流
20.0 A
封装
TO-252-3
通道数
1 Channel
针脚数
3 Position
漏源极电阻
0.16 Ω
极性
N-Channel
功耗
208 W
阈值电压
4.5 V
输入电容
3.00 nF
栅电荷
103 nC
漏源极电压(Vds)
600 V
连续漏极电流(Ids)
20.0 A
上升时间
25 ns
输入电容值(Ciss)
3000pF @25V(Vds)
额定功率(Max)
208 W
下降时间
30 ns
工作温度(Max)
150 ℃
工作温度(Min)
-55 ℃

SPB20N60S5 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Not Recommended
包装方式
Tape & Reel (TR)
长度
10 mm
宽度
9.25 mm
高度
4.4 mm
工作温度
-55℃ ~ 150℃

SPB20N60S5 数据手册

Infineon(英飞凌)
11 页 / 0.64 MByte
Infineon(英飞凌)
12 页 / 0.34 MByte
Infineon(英飞凌)
27 页 / 1.55 MByte

SPB20N60 数据手册

Infineon(英飞凌)
INFINEON  SPB20N60C3  功率场效应管, MOSFET, N沟道, 20.7 A, 650 V, 190 mohm, 10 V, 3 V
Infineon(英飞凌)
INFINEON  SPB20N60S5  功率场效应管, MOSFET, N沟道, 20 A, 600 V, 0.16 ohm, 10 V, 4.5 V
Infineon(英飞凌)
INFINEON  SPB20N60C3ATMA1  功率场效应管, MOSFET, N沟道, 20.7 A, 650 V, 190 mohm, 10 V, 3 V
Infineon(英飞凌)
Infineon(英飞凌)
酷MOS ™功率晶体管 Cool MOS⑩ Power Transistor
Siemens Semiconductor(西门子)
Infineon(英飞凌)
Infineon(英飞凌)
Infineon(英飞凌)
酷MOS功率晶体管提供新的革命性的高电压技术 Cool MOS Power Transistor Feature new revolutionary high voltage technology
Infineon(英飞凌)
酷MOS功率晶体管 Cool MOS Power Transistor
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