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器件3D模型
¥ 10.848
REF5050MDREP 数据手册 - TI(德州仪器)
制造商:
TI(德州仪器)
分类:
电压基准芯片
封装:
SOIC-8
描述:
低噪声,极低漂移,高精度电压基准 LOW-NOISE, VERY LOW DRIFT, PRECISION VOLTAGE REFERENCE
Pictures:
3D模型
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焊盘图
引脚图
产品图
PDF文件:
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REF5050MDREP 技术参数、封装参数
类型
描述
安装方式
Surface Mount
引脚数
8 Pin
容差
±0.05 %
封装
SOIC-8
输出电压
5 V
输出电流
10 mA
供电电流
1.25 mA
通道数
1 Channel
静态电流
800 µA
输入电压(Max)
18 V
输出电压(Max)
5 V
输出电压(Min)
5 V
输出电流(Max)
10 mA
工作温度(Max)
125 ℃
工作温度(Min)
-55 ℃
输入电压
5.2V ~ 18V
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REF5050MDREP 外形尺寸、物理参数、其它
类型
描述
产品生命周期
Active
包装方式
Tape & Reel (TR)
工作温度
-55℃ ~ 125℃
温度系数
±6.5 ppm/℃
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REF5050MDREP 符合标准
REF5050MDREP 海关信息
REF5050MDREP 概述
●
系列 电压基准 IC ±0.05% 8-SOIC
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REF5050MDREP
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TI(德州仪器)
29 页 / 1.51 MByte
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TI(德州仪器)
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REF5050
AIDR
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TI(德州仪器)
低噪声,极低漂移,高精度电压基准 Low-Noise, Very Low Drift, Precision VOLTAGE REFERENCE
REF5050
AID
数据手册
TI(德州仪器)
串联电压参考,固定,4V 至 10V### 电压参考,Texas Instruments精密固定和可调电压参考 IC 利用串联、并联或串联/并联拓扑,并提供通孔和表面安装封装。 电压参考的初始准确度为 ±0.02 至 ±2%。
REF5050
IDR
数据手册
TI(德州仪器)
低噪声,极低漂移,高精度电压基准 Low-Noise, Very Low Drift, Precision VOLTAGE REFERENCE
REF5050
ID
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TI(德州仪器)
4V 至 10V### 电压参考,Texas Instruments精密固定和可调电压参考 IC 利用串联、并联或串联/并联拓扑,并提供通孔和表面安装封装。 电压参考的初始准确度为 ±0.02 至 ±2%。
REF5050
AIDG4
数据手册
TI(德州仪器)
TEXAS INSTRUMENTS REF5050AIDG4 电压参考, 高精准, 低噪, 系列 - 固定, REF5050系列, 5V, SOIC-8
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TEXAS INSTRUMENTS REF5050IDGKT 电压参考, 高精准, 低噪, 系列 - 固定, REF5050系列, 5V, VSSOP-8
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TI(德州仪器)
低噪声,极低漂移,高精度电压基准 Low-Noise, Very Low Drift, Precision VOLTAGE REFERENCE
REF5050
AIDGKT
数据手册
TI(德州仪器)
4V 至 10V### 电压参考,Texas Instruments精密固定和可调电压参考 IC 利用串联、并联或串联/并联拓扑,并提供通孔和表面安装封装。 电压参考的初始准确度为 ±0.02 至 ±2%。
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